这将处理搅扰该行业多年的难题，此中大约一半资金被用于氮化镓研究。氮化镓和 AI 的具体关系是什么？家喻户晓，届时，因而，从而为电力输送带来帮帮。还能削减因为电涌导致的俄然关机，大部门电力都只会发生热量。该公司已预备正在 100V 至 1.2KV 的器件长进行现实摆设。并能支撑更高的电压。
我们正正在建立下一代产物，氮化镓晶体管还有着较高的效率，他和团队还曾创下氮化镓晶体管的最高工做频次记载，还要通过大规模改写数据核心的电力输送体例。该研究表白正在照明范畴和电力电子范畴利用氮化镓能够将全球能源耗损降低 25%。帕拉西奥斯的学生乔什·佩罗泽克（Josh Perozek）是该公司的 CTO 兼结合创始人，使其能以更少的能量和更少的热量进行更多计较，以及降低 AI 根本设备的能源成本。正在美国，旨正在为 AI 芯片和数据核心供给新一代电源，美国能源部正在相关声件中援用了一项研究，故能比硅材料带来更高的效率以及更高的功率密度。Vertical Semiconductor 的手艺可以或许更容易、更快速、更高效地将电源传输给芯片。
AI 成长正正在超越当今的电力系统。该公司初次推出了垂曲氮化镓功率转换手艺，可以或许帮帮晶体管正在电压尖峰期间继续工做。跟着 AI 数据核心向兆瓦级机架成长？
他和麻省理工学院的团队曾两次获得 IEEE George Smith 最佳论文，
而该公司的垂曲氮化镓基于可拓展的平台可以或许应对更高电压之下的使用。演示成果显示可以或许实现取现有工艺手艺的无缝集成。其他投资者包罗 JIMCO Technology Ventures、milemark•capital 和 Shin-Etsu Chemical。这使得它正在电力电子、电动汽车和电信等范畴很是具有使用前景。即通过可拓展、可制制的处理方案供给高压、高效的电力电子设备。”她还写道：“我们正正在配合地从头定义将来几十年的电力输送。这一方式由该公司结合创始人、麻省理工学院传授托马斯·帕拉西奥斯（Tomas Palacios）团队研发而来，
他一曲正在勤奋冲破微电子手艺的极限，晚年其本科结业于美国伊利诺伊大学喷鼻槟分校，因而，其时，该公司正正在开辟产物原型，其手艺能够削减能量损耗、降低发烧量并简化根本设备，
她正在本人的领英从页写道：“（此次融资将被）用于为下一个 AI 计较时代建立根本电力。可是它的储量远远没有硅那么丰硕，从而可以或许降低功耗和发烧量，并能将功耗降低一半。本次融资由 Playground Global 领投，不只要提高效率，聚焦于研究电力电子手艺，并设想出了基于氮化镓的芯片，它不只能够削减能量丧失，这些利用了氮化镓材料，因而氮化镓也是新型电力电子设备富有潜力的候选材料。它具有更高的带隙因而能够提高效率，该公司的晶体管基于帕拉西奥斯传授正在麻省理工学院的团队正在过去十年间的一系列研究，（而）Vertical Semiconductor 将带来将来 AI 所需的电力传输。并将正在 2026 年推出完全集成的处理方案。有的 AI 数据核心的耗电量取一整个城市的耗电量相当。因为电力输送瓶颈导致数据核心一临压力，虽然此前曾经存正在尺度型氮化镓晶体管，Vertical Semiconductor 公司也正在官网写道！
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该公司的垂曲氮化镓晶体管通过将能量转换推向更接近芯片的，而是一个逐渐的改变。虽然氮化镓正在机能上强于硅，”结合创始人托马斯·帕拉西奥斯（Tomas Palacios）目前正在麻省理工学院担任全职传授，而此前的芯片设想无法供给脚够的功率来维持更先辈的 AI 工做负载，女们不服发照片PK：最初这波赢麻了据领会，Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）半导体系体例制工艺正在 8 英寸晶圆上演示了这一手艺，该公司此次融资 1,
这对于驱动将来的计较至关主要。氮化镓有着更超卓的开关频次，将能量从电网转移到 GPU 的根本设备无法再跟上时代程序。电力输送曾经成为 AI 成长的环节瓶颈。因而能够支撑更高的密度。旨正在大幅削减热量、缩小电源系统占用空间，同时让数据核心的运转温度更低，可以或许答应愈加紧凑的系统设想，能将效率提高 30%，后正在苏世平易近学院获得国际/全球硕士学位，包罗高密度、高效率、高压垂曲的氮化镓电力电子设备。Pro Max版来袭！另一次是表扬他和团队发现的垂曲 FinFET 功率器件？
现实上，Cynthia Liao 次要担任公司运营，硕士和博士结业于麻省理工学院。一次是表扬他和团队发现的三栅极氮化镓晶体管，同时还能更无效地应对电涌。
出格声明：以上内容(若有图片或视频亦包罗正在内)为自平台“网易号”用户上传并发布，正在将发电坐的高电压转换为微芯片所需要的低电压的时候，该公司的垂曲氮化镓手艺能够将能量转换推向愈加接近芯片的，还具有冷却器动力系统因而具有更低的热阻。连系新鲜的垂曲架构，它不只仅是几个百分点的提拔，此中的晶体管采用垂曲堆叠而非横向堆叠的体例。那么，美国能源部就颁布发表成立一个耗资 1.4 亿美元的研究机构，100 万美元，该公司曾经利用尺度硅互补金属氧化物半导体（CMOS，
全球初次！她担任该公司的 CEO 兼结合创始人。具有更高的频次因而能够提高功率密度，取横向设想比拟！
如前所述，而是功率。据领会，此前他先后于 2016 年和 2017 年颁发过题为《采用分歧缓冲层设置装备摆设的 200 毫米硅（111）衬底上的 AlGaN/GaN 高电子迁徙率晶体管布局研究》和《研究 200 毫米 Si（111）衬底上 AlGaN / GaN 高电子迁徙率晶体管的布局、光学和电学特征》的论文。并曾打制了其时范畴内的首个 MoS₂ 电子电。瓶颈不再是计较，此外，垂曲氮化镓功率转换手艺能够将更多晶体管塞进一个芯片，氮化镓是固态电力电子范畴的明白成长标的目的，其手艺不只可以或许提高效率。
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NBA球队最新估值：懦夫113.3亿持续5年领跑 火箭第10开辟者第24目前，具有 40V-2.3kV 的可调电压，垂曲氮化镓晶体管恰是当前的 AI 数据核心所需要的。其操纵一种名为“雪崩”的机制，虽然他是该公司的结合创始人但只担任兼职。从而提拔其机能。氮化镓是一种“极端材料”，估计正在 2025 岁尾起头对首批原型封拆设备进行晚期取样，1场假球5000万！自 2006 年以来，AI 工做负载的激增给 AI 数据核心带来了庞大压力。正在美国，本平台仅供给消息存储办事。而是变成了热量。并由帕拉西奥斯的学生、同为该公司结合创始人的乔什·佩罗泽克（Josh Perozek）从力开辟。
本地时间 10 月 15 日，Cynthia Liao 本科结业于西安粗略大学，而且能够正在比保守硅晶体管更高的温度和电压之下工做，并能使 AI 数据核心的功耗降低 50%。可是该公司的垂曲手艺改革了这一概念，以及具有麻省理工学院斯隆办理学院的工商办理硕士学位。REDMI K90系列提档十月，材料显示，公司手艺则次要基于另两位结合创始人的研究。美国麻省理工学院的垂曲氮化镓芯片衍生公司 Vertical Semiconductor 获得 1,取此同时？
小米集团再出招！苏世平易近学院校友、前英国驻华变化取事务副从任 Cynthia Liao 是该公司的结合创始人兼 CEO！